IR推出适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
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IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 结合了经过实践验证的 DirectFET 封装技术带来的卓越可靠性和性能,以及 IR 的最新沟道硅工艺。新款 DirectFET2 器件在应用于下一代车辆平台时可以达到最佳表现,实现超低导通电阻 (RDS(on)) 、栅极电荷 (Qg) 或逻辑电平操作,从而极大提升性能和效率,并缩减了系统尺寸和元件数量。”
采用新款大罐式封装的 AUIRF7739L2 具有业内最低的导通电阻,在给定 PCB 区域 40V 电压时的导通电阻典型值仅为 0.7mΩ 。此外,与 D2PAK 相比,大罐式封装的占位面积可以减少60%,厚度可以降低85%。这款器件可提供卓越的功率密度和效率,非常适合高负载电机控制应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 和微型混合动力车的电池开关和集成式起动发电机 (ISA) ,以及底盘、传动系统和动力系统等。
AUIRF7665S2 小罐器件可提供极低的栅极电荷,表现出非常小的寄生效应,以及快速、高效的开关性能。DirectFET2 MOSFET 是汽车开关应用的理想选择,包括D类音频放大器的输出级电路,以及 DC-DC 转换器和燃油喷射系统。
AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 标准,是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令 (RoHS)。
产品基本规格
器件编号
封装
Vds
典型Rds(on)
最大Rds(on)
典型Qg
AUIRF7739L2
DF2LCan
40V
0.7mΩ
1mΩ
220nC
AUIRF7665S2
DF2SCan
100V
51mΩ
62mΩ
8.3nC
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